一、IGBT的基本结构
1、IGBT基本结构
绝缘栅双极型晶体管本质上是一个场效应晶体管，在结构上与功率MOSFET相似，只是原功率MOSFET的漏极和漏区之间额外增加了一个P+型层。IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。
2、中频电源IGBT的等效电路与图形符号
二、IGBT的基本工作原理
1、IGBT的阻断原理
2、IGBT的导通原理
三、高频电源IGBT的特性与参数
1、IGBT的静态特性
2、IGBT的转移特性
3、IGBT的开关特性
4、IGBT的开关过程
5、IGBT的结电容特性
6、IGBT的损耗特性
7、IGBT的安全工作区
四、中频电源IGBT的识别与选择
1、中频电源IGBT的识别
IGBT的优点：开关速度高，开关损耗小，耐脉冲电流的冲击，耐压高。
2、IGBT型号介绍及对比
五、IGBT的检测与使用
1、IGBT的检测
（1）、IGBT的电阻测量
G-E极电阻的测量
C-E极电阻的测量
（2）、IGBT的二极管测量
2、IGBT的使用
（1）、中频电源驱动保护电路的设计
（2）、工作结温设计
（3）、并联连接
（4）、保管和使用注意事项
（5）、中频电源IGBT使用时请避开腐蚀性气体的场所
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