绝缘栅双极型晶体管简称IGBT，是由功率MOSFET和GTR复合而成的一种具有电压控制的双极性自关断器件。GTR饱和压降低、载流密度大，但驱动电流较大，驱动电路复杂；功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了GTR和功率MOSFET的优点，具有输入阻抗高，开关速度快，驱动功率小，饱和压降低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种中频电源电力变换中获得极广泛的应用。由于设计最佳化及近年来应用了大容量的存储器的工艺技术，其特性有了很大的改善，应用范围超过了GTR和功率MOSFET。不仅应用于电力系统，而且也广泛应用于一般工业，交通运输，通信系统，计算机系统，新能源系统，还应用于照明，空调等家用电器中。目前高频电源IGBT产品已经系列化，产品中最高耐压为6500V，电流为1200A，并在继续努力提高电压、电流容量和开关频率，目前已经成为应用最广的电力电子器件之一。
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